[7a-A414-1~8] 13.9 光物性・発光デバイス

[7a-A414-4] VGF法及びLEC法成長によるノンドープGaAsバルクのスピン緩和

〇谷川 詩馬¹、飯田 真之¹、田中 大介¹、滝沢 将也¹、竹内 淳¹ (1.早大先進理工)

キーワード：GaAs、スピン緩和

本研究では、VGF法及びLEC法によるノンドープGaAsバルクのスピン緩和過程を時間分解ポンププローブ法によって調べた。その結果、10 Kでのスピン緩和時間はVGF法、LEC法それぞれ220 ps、752 psであった。また、室温におけるスピン緩和時間はそれぞれ49 ps、138 psであった。キャリア緩和時間、スピン緩和時間共にLEC法GaAsバルクの方が、VGF法GaAsバルクに比べて長く、結晶性の良否が両者に関与していると考えられる。