[7p-PB4-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[7p-PB4-4] Black phosphorus FETの異方的電気伝導特性におけるトンネル効果の影響

〇外田 祐也¹、小川 真人¹、相馬 聡文¹ (1.神戸大院工)

キーワード：半導体、黒リン、トンネル効果

本研究の対象としている黒リン(Black Phosphorus)はバンドギャップを有する元素半導体であり、グラフェンに代わる半導体材料として注目されている。黒リンはバンド構造の異方性から黒リンFETにおいて電流方向依存性が懸念される。さらにFETにおけるトンネル電流にも方向依存性の考慮が必要となると考えられる。本研究では、黒リンFETにおける電流の方向依存性、特にトンネル電流が方向依存性に与える影響を明らかにすることを目的とする。