[8a-C24-1~12] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

△ [8a-C24-7] GeTe薄膜におけるガンマ線照射の影響

〇(B)朴 孝晟¹、依田 功²、川崎 繁男³、中岡 俊裕¹ (1.上智理工、2.東工大、3.宇宙研)

キーワード：テルル化ゲルマニウム、ガンマ線、フォトドーピング

GeTe薄膜は相変化材料としてAgとの電気化学的反応の研究で可視光、X線など光照射下においてAgとの異常拡散現象(フォトドーピング)が多数報告されている。しかし、γ線照射の影響による異常拡散現象の報告例は非常に少ない。
本研究はスパッタリングにより、GeTe膜厚の上にEB蒸着によりAg-Ag電極を作製し、γ線を照射で吸収線量の依存による銀電極近傍の変化を観察した。講演では拡散の詳細、電極材料による変化、電気伝導度の変化を合わせて報告する予定である。