ゲート埋込ナノ構造とMOSFET電流-電圧特性の相関に関する基礎検討

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一般セッション(口頭講演)

9 応用物性 » 9.3 ナノエレクトロニクス

[8p-A412-1~12] 9.3 ナノエレクトロニクス

2017年9月8日(金) 13:00 〜 16:15 A412 (412)

14:30 〜 14:45

〇清水克真¹、法元盛久²、大八木康之³、西尾俊平³、成瀬誠⁴、松本勉⁵、葛西誠也¹ (1.北大量集センター、2.コンパス・トゥーワン、3.大日本印刷(株)、4.情報通信研究機構、5.横浜国大)

キーワード：ナノ人工物メトリクス、デバイスシミュレーション