[18p-E101-1~7] 窒化物半導体特異構造の科学　～新機能性の発現と電子・光デバイスへの展開～

[18p-E101-1] イオン注入を用いたGaN MOSFETの進展と高性能化への課題

〇高島 信也¹、田中 亮¹、上野 勝典¹、江戸 雅晴¹、三石 和貴²、埋橋 淳²、大久保 忠勝²、宝野 和博²、陳 君²、関口 隆史²、色川 芳宏²、生田目 俊秀²、小出 康夫² (1.富士電機、2.物材機構)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入、MOSFET