[E54-60] タングステン材料

[E59] 高フラックス照射環境下でのTFGR タングステン中の水素同位体挙動と表面変化

^〇大宅諒¹, Heun Tae Lee¹, 上田良夫¹, 栗下裕明², 小柳津誠³, 林巧³ (1.阪大, 2.東北大, 3.日本JAEA)

キーワード：プラズマ対向材料, タングステン, 水素同位体吸蔵量

TFGR W (Toughened Fine-Grained Recrystallized Tungsten)は照射耐性を持つタングステン(W)材料として研究開発されたが、核融合炉内環境下での壁材料としての適性を評価する研究成果は少ないのが現状である。本研究では、TFGR Wに対して、線形プラズマ装置を用いて高いフラックス(10^23 ~ 10^24 D/m^2s)で重水素を注入し、NRAやTDSで重水素吸蔵量を測定する。また、SEMによる表面状態の観察の結果、照射後のTFGR Wの表面に多数のバブル(~0.5µm)が観察された。このような結果から、高フラックス照射環境下でのW材料中の水素同位体挙動を明らかにするとともに、結晶構造や添加物がそれに与える影響も解明する。