[1H09-13] SiC-2

2016年3月26日(土) 14:45 〜 16:05 H会場 (講義棟B棟 B204)

座長：長谷川晃（東北大）

14:45 〜 15:00

[1H09] NITE法によるSiC/SiC燃料被覆管等の製造基盤技術に関する研究開発(SCARLET計画)の現状

＊岸本弘立¹、中里直史¹、朴峻秀¹、香山晃¹ (1.室蘭工業大学OASIS)

15:00 〜 15:15

＊朴峻秀¹、岸本弘立²、中里直文²、香山晃¹ (1.室蘭工大OASIS、2.室蘭工大)

15:15 〜 15:30

＊中里直史¹、朴峻秀¹、本間将人¹、柳谷絵里¹、岸本弘立¹、齋藤正博²、四竃樹男²、香山晃¹ (1.室蘭工業大学、2.八戸工業大学)

15:30 〜 15:45

＊兪周炫¹、岸本弘立^2,1、中里直史¹、朴峻秀²、香山晃² (1.室蘭工業大学、2.室蘭工業大学OASIS)

15:45 〜 16:00

＊Mohd Idzat Idris¹, Toyohiko Yano¹, Katsumi Yoshida¹ (1.Tokyo Institute of Technology)

座長持ち時間 (16:00 〜 16:05)