[2L14-19] 検出器開発

[2L15] BGaN半導体材料を用いた新規熱中性子検出器の提案と開発

*中野 貴之¹、望月 健¹、宇佐美 茂佳²、本田 喜央³、天野 浩^3,4、小島 一信⁵、秩父 重英^5,3、三村 秀典⁶、井上 翼¹、青木 徹⁶ (1. 静岡大院、2. 名古屋大院、3. 名古屋大IMaSS、4. 赤崎リサーチセンター、5. 東北大多元研、6. 静岡大電研)

キーワード：熱中性子検出器、半導体検出器、III族窒化物半導体、BGaN、ダイオード

新規熱中性子検出器として、BGaN半導体材料を用いた半導体検出器を提案している。提案するBGaN熱中性子検出器は、有感層領域で熱中性子捕獲と信号検出を行う新しい概念の熱中性子検出器である。本研究では、デバイス作製と提案内容の実証実験を実施した。