[2D06-09] ガンマ線計測，シングルイベントエラー

[2D09] 半導体メモリーのミューオン誘起シングルイベントアップセットシミュレーション

*真鍋 征也¹、渡辺 幸信¹、安部 晋一郎² (1. 九州大、2. 日本原子力研究開発機構)

キーワード：ソフトエラー、シングルイベントアップセット、PHITS、ミューオン

数MeV正・負ミューオン照射加速試験のため、単純有感領域モデル及び粒子輸送計算コードPHITSを用いて、設計ルール65 nmのBulkデバイスにおけるミューオン誘起シングルイベントアップセット(SEU)の発生予測シミュレーションを行い、SEUを観察するための適切な照射エネルギーを決定した。また、SEUシミュレーションにおけるエネルギーストラグリングの影響を調査し、エネルギーストラグリングを考慮することにより考慮しない場合と比べ、ミューオンによるSEU数が増加することを確認した。