[2A06-09] 半導体検出器

[2A06] BGaN半導体検出器の基礎電気特性及び放射線検出特性評価

*山田 夏暉¹、丸山 貴之¹、中川 央也¹、井上 翼¹、青木 徹²、中野 貴之¹ (1. 静大院、2. 静大電研)

キーワード：BGaN、中性子検出、中性子検出器、半導体検出器

我々は新規中性子検出器としてBGaN半導体検出器を提案している。本研究では、有機金属気相堆積(MOCVD)法により作製された縦型BGaN-pinダイオードの基礎電気特性および検出特性を評価した。BGaNダイオードの放射線検出特性はα線、及び中性子照射下におけるエネルギースペクトル測定によって評価した。α線照射時のエネルギースペクトル測定、及びPHITSコードを用いたα線飛程シミュレーションより、BGaN層全体が有感層として機能していることが確認された。また、α線照射時と中性子照射時の二次元エネルギースペクトル測定結果の比較から、中性子捕獲反応によって生じるエネルギーをBGaN層で検出していることが示唆された。