[2M01-06] 高次構造制御セラミック

[2M04] 高速炉の安全性向上のための高次構造制御セラミック制御材の開発

(4) 細孔方位および結晶方位を同時制御したB₄C制御材の創製

*東 翔太¹、打越 哲郎¹、吉田 克己²、鈴木 達¹ (1. 物質・材料研究機構、2. 東京工業大学)

キーワード：高次構造制御、c軸配向B4C、方位配向細孔、強磁場配向

高速炉用B₄C制御材の更なる信頼性向上には、中性子照射時の制御材内部に生じる不均一な熱応力の緩和とB₄C結晶内部に発生・蓄積していくHeガスの排気による制御材膨張・破損の抑制が重要である。強磁場配向プロセスによりB₄C母材と繊維系造孔材を同時に配向制御することで材料の熱的・機械的特性向上だけでなく、中性子吸収能や機械特性等を損ないよう最小限の気孔率でより効率的なHeガス排気が期待される。本発表では、このHeガス排気孔を有した配向B₄Cセラミックス作製のため、母材粒子および造孔材の分散スラリーの強磁場印加鋳込み成形から得られる配向成形体を基に高次構造制御焼結体を作製し、得られた配向焼結体の構造評価等を行った結果を報告する。