[3J01-06] SiC1

[3J06] フルセラミックス炉心実現のための防食技術開発

(6)不対電子の水素終端によるSiCの耐食性向上

*関 航太朗¹、近藤 創介¹、佐藤 紘一²、笠田 竜太¹ (1. 東北大学、2. 鹿児島大学)

キーワード：SiC、水素終端、不対電子、ESR、腐食

SiC試料に対して、様々な温度で水素曝露を行った。電子スピン共鳴測定を用い、水素曝露したSiC試料の不対電子密度を測定した。その結果、600℃以上の水素曝露でSiC試料の不対電子密度が減少することが分かった。 また、それぞれの試料にオートクレーブ試験を行った。その後、SEMを用いて試料の表面を観察した。その結果、水素曝露した試料はしていない試料に比べて、腐食が抑制されていることが分かった。 これらの結果より、SiC内に存在する不対電子を水素で終端することによって、SiCの耐食性が向上することが示唆された。