11:30 〜 11:40
[4G4-16] 二次元 Hofmann 型配位高分子の層間構造の修飾と磁気特性
口頭A講演
PC接続時間：11:10～11:20
キーワード：Hofmann 型配位高分子、二次元構造、層間構造の修飾、磁気特性
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