[PS] インタラクティブセッション ポスター発表

[INP-21i] 溶液プロセスによる短チャネル有機トランジスタの高移動度化 : MoO₃塗布注入層を用いた接触抵抗低減

*饗庭 智也¹、永瀬 隆^1,2、小林 隆史^1,2、貞光 雄一³、内藤 裕義^1,2 (1. 大阪府立大学、2. 大阪府立大分子エレクトロニックデバイス研、3. 日本化薬(株))

有機電界効果トランジスタ (OFET) のディスプレイ、論理回路等への応用には、チャネル長 5 µm の短チャネル素子での実効移動度の向上が重要な指標となる。本研究では、正孔ドープ層として用いられるMoO₃注入層を塗布形成しUV/O₃処理を施すことで、短チャネルトップゲートdioctylbenzothienobenzothiophene (C₈-BTBT) OFETにおいて、飽和移動度は最高で1.4 cm²/Vs、線形移動度では2.7 cm²/Vsの高い実効移動度が得られることが分かった。また、接触抵抗は0.4 kΩcm (V_G = -30 V) となり、素子作製後1か月以上経過しても安定動作が可能であることが分かった。