13:45 〜 14:00
*Dionysios Stefanakis1, Xilun Chi1, Takuya Maeda1, Mitsuaki Kaneko1, Tsunenobu Kimoto 1 (1. Kyoto University(Japan))
Oral Presentation
Power and High-Frequency Devices
2019年10月2日(水) 13:45 〜 15:45 Room A (Kyoto International Conference Center)
13:45 〜 14:00
*Dionysios Stefanakis1, Xilun Chi1, Takuya Maeda1, Mitsuaki Kaneko1, Tsunenobu Kimoto 1 (1. Kyoto University(Japan))
14:00 〜 14:15
*Masahiro Hara1, Satoshi Asada1, Takuya Maeda1, Tsunenobu Kimoto1 (1. Kyoto Univ.(Japan))
14:15 〜 14:30
*Xiang Zhou1, Collin W. Hitchcock1, Reza Ghandi2, Alex Bolotnikov2, T. Paul Chow1 (1. Rensselaer Polytechnic Institute (RPI)(United States of America), 2. General Electric Global Research Center(United States of America))
14:30 〜 14:45
*Masakazu Baba1, Yusuke Kobayashi1, Manabu Takei2, Hiroshi Kimura2, Shinsuke Harada1 (1. Advanced Indus. Sci. and Tech.(Japan), 2. Fuji Electric Corp. Ltd.(Japan))
14:45 〜 15:00
Julietta Weisse1, *Constantin Csato2, Heinz Mitlehner3, Shavkat Akhmadaliev4, Florian Krippendorf2, Michael Rueb5,2, Tobias Erlbacher3,1 (1. Department of Electron Devices, FAU Univ. Erlangen-Nürnberg, Erlangen, Germany(Germany), 2. mi2-factory GmbH Indus., Jena, Germany(Germany), 3. Fraunhofer IISB Inst., Erlangen, Germany(Germany), 4. Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf Inst., Dresden, Germany(Germany), 5. Ernst-Abbe-Hochschule Jena Univ., Jena, Germany(Germany))
15:00 〜 15:15
*Yusuke Yamashiro1, Teruaki Kumazawa1, Mariko Hayashi1, Masakazu Baba1, Manabu Takei2, Shinsuke Harada1, Yoshiyuki Yonezawa1, Hajime Okumura1 (1. AIST(Japan), 2. Fuji Electric Corp., Ltd.(Japan))
15:15 〜 15:45
*Takashi Shinohe1 (1. FLOSFIA(Japan))
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