[G] スピントロニクス・ナノ磁性材料・新領域

[140] Mn酸化物薄膜におけるネルンスト効果およびホール効果の電界制御

*水口 将輝^1,2,3、Himanshu Sharma^1,2、C. V. Tomy⁴、Ashwin Tulapurkar⁴ (1. 東北大金研、2. JST-CREST、3. 東北大CSRN、4. IIT Bombay)

キーワード：ネルンスト効果、ホール効果、マンガン酸化物、電界制御、熱電変換

Mn酸化物薄膜にゲート電極を備えた素子を作製し、ネルンスト効果を電界で制御することを試みた。また、ネルンスト効果と強い相関のあるホール効果についても同様に電界制御を行い、両効果を系統的に比較した。