[G] 原子力材料(2)

[231] イオンビーム照射によるGeとGaSbの表面構造変化

*菰田 誉大¹、村尾 吉輝²、石川 昂平¹、吉原 大貴¹、大石 倫也²、宮地 峰司²、新田 紀子³ (1. 高知工大(学生)、2. 高知工大(院生)、3. 高知工大)

キーワード：ナノ構造、イオンビーム、Ge、GaSb、走査型電子顕微鏡

半導体であるGe, GaSb, InSbの表面にイオンビーム照射を行うと、ナノサイズのポーラス構造が形成される。これらの材料にイオンビームを照射し、形成メカニズムを比較した。