[S5] S5 先進ナノ構造解析に基づく材料科学の新展開II(1)

[S5.14] グラフェン欠陥における電場構造解析

*石川 亮^1,2、Scott Findlay³、関 岳人¹、Gabriel Sanchez-Santolino¹、河野 裕二⁴、幾原 雄一^1,5、柴田 直哉^1,5 (1. 東京大工、2. JSTさきがけ、3. モナッシュ大、4. JEOL、5. JFCC)

キーワード：グラフェン、原子電場、点欠陥

単層グラフェン中に形成された点欠陥の電場構造を解析するため、原子分解能での微分位相コントラスト法を用いた走査透過型電子顕微鏡による直接観察を行った。