[P] P16~P19

[P17] 高品位エピタキシャル窒化クロム薄膜の作業に向けた中間層の選定

*新田 純也¹、菅井 匠¹、中山 忠親¹、末松 久幸¹、鈴木 常生¹ (1. 長岡技科大)

キーワード：CrN、パルスレーザー体積法、エピタキシャル成長、電気抵抗率測定、中間層

過去・現在の研究室での結果を踏まえ、パルスレーザー堆積法により、NiO、Cr-Yb-N、Cr-Fe-N薄膜を成膜し、その結晶性と電気抵抗率測定からCrN薄膜を成膜するために適した中間層（バッファ）を選定した。