[P137] Geポーラス構造形成におけるイオンビームフラックスの閾値
キーワード:イオンビーム、半導体、Ge、Si
Geポーラス構造の初期構造に着目し、構造形成におけるイオンビームの閾値フラックスを特定することを試みた。また、Siを用いて同様の実験を行い、Geとの比較を行った。
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