[G] 半導体・誘電体材料

[236] 層状カルコゲナイドpn接合の作製とその界面および電子状態

*齊藤 雄太¹、Fons Paul¹、牧野 孝太郎¹、Mitrofanov Kirill¹、上杉 文彦²、竹口 雅樹²、Kolobov Alexander³、富永 淳二¹ (1. 産総研ナノエレ、2. 物材機構、3. 産総研ナノエレ(現所属: Herzen大))

キーワード：カルコゲナイド、不揮発性メモリ、pn接合、Sb₂Te₃、Bi₂Te₃

スパッタ法にてSb₂Te₃/Bi₂Te₃ヘテロ積層膜を作製し、その結晶性や界面の微細組織を観察、そして電気特性を評価した。電子状態については第一原理計算によって理論計算を行った。