[P] 4.力学特性

[P36] Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体における転位コア構造の再構成に関するDFT計算

*星野 聖奈¹、中村 篤智^2,3、横井 達矢²、野田 祐輔²、松永 克志^2,4 (1. 名大工（院生）、2. 名大工、3. JST、4. JFCC)

キーワード：第一原理計算、転位、化合物半導体、再構成、光塑性効果

本研究ではDFT計算によってⅡ-Ⅵ族化合物半導体における転位の安定構造を調査した。
その結果、光照射下では電子やホールのトラップにより転位コアで再構成が生じることが分かった。