13:40 〜 13:55
[284] 脱窒素法によるバリアントフリーL10-FeNi(110)薄膜の作製と磁気特性の評価
キーワード:L10-FeNi、FeNiN
c軸が膜面内の一方向に揃ったバリアントフリーなエピタキシャルFeNiN(110)薄膜を作製した。脱窒素熱処理を行うことにより、バリアントフリーL10-FeNi(110)薄膜を作製し、一軸磁気異方性エネルギーを評価した。
要旨・抄録、PDFの閲覧には参加者用アカウントでのログインが必要です。参加者ログイン後に閲覧・ダウンロードできます。
» 参加者用ログイン