[S9] S9 Materials Science and high temperature processing of widegap materials III

[S9.7] Step structures of 4H-SiC (000-1) in Si based solvents at 1873 K after interface reconstruction

*Hideto AOKI¹, Didier Chaussende², Kawanishi Sakiko³, Takeshi Mitasni⁴, Takeshi Yoshikawa¹ (1. The Univ. of Tokyo, 2. Grenoble-Alpes Univ.-CNRS, 3. Tohoku Univ., 4. ational Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

Keywords:ステップバンチング、SiC溶液成長、4H-SiC

溶液成長法では固液界面のステップバンチングの制御が未解決課題でありその溶媒組成依存性も解明されていない。本研究では飽和液滴を移動させる実験手法を改善し、初期のバンチング挙動を調査した。