[S3] ナノ・マイクロスペーステイラリングV

[S3.10] Na-Sn フラックスを用いた Na, Ba 内包型 Si クラスレートの単結晶育成

*飯島 穰¹、森戸 春彦²、藤岡 正弥³、山根 久典⁴、藤原 航三² (1. 東北大理（院生）、2. 東北大金研、3. 北海道大、4. 東北大多元研)

キーワード：クラスレート、単結晶育成、Na-Ba-Si

本研究では、Na-Sn フラックス法において (Na, Ba)-Si クラスレートの type- I と II の生成条件および結晶成長条件を明らかにすることを目的とした。