[G] 電気・電子・光関連材料

[155] Cr₂Ge₂Te₆メモリデバイスの動作エネルギーに及ぼすコンタクト抵抗の影響

*畑山 祥吾¹、阿部 泰寛¹、安藤 大輔¹、須藤 祐司¹ (1. 東北大工)

キーワード：相変化材料、Cr-Ge-Te、コンタクト抵抗、相変化メモリ、アモルファス

様々な仕事関数を持つ電極材料とCr₂Ge₂Te₆間のコンタクト比抵抗を測定し、メモリデバイスの動作エネルギーに対する影響を調査した。