[G] Melting and solidification process/High temperature process

[76] Investigation on mechanism for step-bunching at growth front during solution growth of SiC using Gibbs-Thomson solvent

*Tomoyuki Kashimura¹, Takeshi Yoshikawa¹ (1. IIS, U. Tokyo)

Keywords:液相成長、合金溶液、エピタキシー、ナノ粒子

SiC微粒子のGibbs-Thomson効果を利用した新たなSiC液相成長法を用い，成長面内の過飽和度分布とステップフロー方向の相関性を調べ，ステップバンチングの抑制方法について検討した．