日本金属学会2023年秋期(第173回)講演大会

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一般講演

9.Electric/Electronic/Optical Materials » Electric/Electronic/Optical Materials

[G] Semiconductor and terahertz light

Wed. Sep 20, 2023 10:00 AM - 11:55 AM Rm. L (3rd Flr. Education and Research Building, School of Engineering)

座長:田邉匡生(芝浦工業大学)・阿部世嗣(電磁研）、馬場 将亮(長岡技術科学大学)

10:00 AM - 10:15 AM

[299] Resistance to oxidation of Si-doped γ-Fe2O3 thin films by sputtering

*Seishi ABE1 (1. Research Institute for Electromagnetic Materials)

Keywords:薄膜、鉄酸化物、耐酸化性、Si、無機材料

Si添加γ-Fe2O3薄膜の耐酸化性について検討を行った。その結果、Siを2.8at.%添加したFe3O4はγ-Fe2O3に相転移し、256日間の大気中熱処理において比較的良好な耐酸化性を発現する．

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