[G] 溶融・凝固プロセス 高温プロセス

[86] 静磁場印加電磁浮遊法を用いたSi-Ge融体の熱伝導率測定

*新井 佑梨¹、福山 博之¹、大塚 誠¹、安達 正芳¹ (1. 東北大学多元研)

キーワード：Si-Ge融体、静磁場印加電磁浮遊法、熱伝導率

Si-Geは次世代電力電子デバイスの基板材料として期待されている。Si-Ge結晶育成の数値シミュレーションには溶融合金の熱物性値が必要である。本研究では静磁場印加電磁浮遊法を用いSi-Ge融体の熱伝導率を測定した。