[S9] S9.ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシングV

[S9.6] SiC溶液法における溶媒中の溶質-不純物間結合安定性の第一原理計算による解析

*関 翔太¹、河村 貴宏²、原田 俊太³、田川 美穂³、宇治原 徹³ (1. 名大工 (院生)、2. 三重大工、3. 名大 未来研)

キーワード：炭化ケイ素(SiC)、結晶成長、不純物効果、第一原理計算

SiC溶液法における溶媒への元素添加によるステップ構造変化のメカニズム解明のため、第一原理計算により溶質と添加元素間の溶媒中での結合安定性を評価した。