[S9] S9.ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシングV

[S9.8] 界面再構成法による各種溶媒合金中4H-SiC (000-1)上のステップバンチング挙動

*吉川 健¹、青木 秀人²、川西 咲子³、三谷 武志⁴、Didier Chaussende⁵ (1. 東大生研(現 阪大)、2. 東大生研(現 日本冶金工業)、3. 東北大多元研(現 京大)、4. 産総研、5. CNRS-SIMaP)

キーワード：SiC、ステップバンチング、溶液、界面再構成

著者らは界面再構成手法を用い、溶液と4H-SiC(000-1)界面におけるステップバンチング挙動の調査を行っている。本報告ではSi-Cr合金への添加成分がステップバンチングに与える影響について報告する。