4:30 PM - 6:00 PM
[P114] Morphology and characteristic of CrN thin films simultaneously deposited on different substrate materials
Keywords:遷移金属窒化物、窒化クロム、パルスレーザー堆積法、エピタキシャル成長、電気伝導性、電子相関
MgO(001)単結晶とSi(100)単結晶の基板上にCrNを同時成膜し、
Si上ではMgO上のCrNと同様な物性を得られるか確認することを目的とした。
冷凍機を使用し、5∼300 Kまでの電気抵抗率の温度依存性を4端子法で測定した。
Si上ではMgO上のCrNと同様な物性を得られるか確認することを目的とした。
冷凍機を使用し、5∼300 Kまでの電気抵抗率の温度依存性を4端子法で測定した。
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