[G] 半導体・テラヘルツ光

[219] Cr-Mn-Te多形変化薄膜の不揮発性相変化メモリへの応用可能性

*金 美賢¹、双 逸²、安藤 大輔¹、須藤 祐司^1,2 (1. 東北大工、2. 東北大学材料科学高等研究所)

キーワード：polymorphic change、thin film、phase change random access memory、Cr-Mn-Te

Crを添加したCr-Mn-Te三元系薄膜は、二元系MnTe薄膜とは異なる多形変化挙動を示すことがわかってきている。本研究では、Cr-Mn-Teを用いた不揮発性メモリ特性を評価する。