[G] スピントロニクス・ナノ磁性材料、磁気機能材料

[244] 分子線エピタキシー法により作製したFe_4-xMn_xN薄膜の異常ネルンスト効果

*尹 偉達¹、伊藤 啓太²、辻川 雅人³、白井 正文³、高梨 弘毅^2,4 (1. 東北大院工、2. 東北大金研、3. 東北大通研、4. 原子力機構先端基礎研)

キーワード：Anomalous Nernst effect、Spintronics、Fe_4-xMn_xN

In this study, Fe_4-xMn_xN films were fabricated in a wide range of x and their anomalous Nernst effects were characterized.