[G] 溶融・凝固プロセス 高温プロセス

[334] 静磁場印加電磁浮遊法を用いたSi-Ge融体の定圧モル熱容量測定

*新井 佑梨¹、大塚 誠²、安達 正芳²、福山 博之² (1. 東北大多元研（院生）、2. 東北大多元研)

キーワード：Si-Ge、静磁場印加電磁浮遊法、定圧モル熱容量

Si-50mol%Ge融体の熱伝導率の測定を目的とし、それに必要な定圧モル熱容量C_Pの測定を行った。1544-1800 Kの温度範囲においてC_Pに温度依存性は見られず、平均は31.1 J・mol^-1・K^-1であった。