[G] 電子材料・テラヘルツ光

[249] アモルファス相CrTe₃薄膜／ポリイミド基板の引張試験における抵抗変化挙動

*吉田 陸人¹、王 吟麗¹、双 逸²、安藤 大輔¹、須藤 祐司^1,2 (1. 東北大工、2. 東北大AIMR)

キーワード：CrTe₃、ピエゾ抵抗効果、ひずみゲージ、アモルファス薄膜

アモルファス相CrTe₃薄膜/ポリイミド基板における応力印加に対する抵抗変化機構の解明を目的とし、スパッタリング法により成膜した膜厚200nmの同薄膜に対し引張試験とその場電気特性測定、表面観察を実施した。