[P] P29~P38

[P31] SiGe / Ge / Si (111)に発生するクラックの方位

田島 滉太¹、*山中 淳二¹、有元 圭介¹、原 康祐¹、我妻 勇哉²、澤野 憲太郎² (1. 山梨大、2. 東京都市大)

キーワード：歪SiGe、クラック、半導体ヘテロ構造、MBE、TEM

MBEで作製したSiGe/Ge/Si(111)に発生するクラックを電顕観察した。劈開面である{111}に沿ったクラック以外に{112}に沿ったクラックも観測された。その理由については検討が必要である。