要旨PDFダウンロード スケジュール 1 14:55 〜 15:10 [3404-07-04] GaN(0001)表面におけるポジトロニウム生成 〇河裾 厚男1、前川 雅樹1、宮下 敦巳1、和田 健2 (1. 量子科学技術研究開発機構高崎研究所、2. 高エネルギー加速器研究機構) GaN表面におけるポジトロニウム生成について調べた結果について報告する。