[16a-B5-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-B5-3] RF-MBEを用いたInGaN成長の膜厚依存性

^○坂本正洋¹，王科¹，荒木努¹，名西憓之^1,2，Euijoon Yoon² (立命館大¹，ソウル国立大²)

キーワード：InGaN,膜厚,MBE