[16p-D3-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16p-D3-9] MoO_x抵抗変化型メモリのスイッチ特性の改善

^○（M1）廣井孝弘，中根明俊，Thana Sriviriyakul，髙見澤圭佑，有田正志，高橋庸夫 (北大院情報)

キーワード：抵抗変化型メモリ