2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

17．ナノカーボン » 17.1 成長技術

[17a-B1-1~11] 17.1 成長技術

2013年9月17日(火) 09:00 〜 12:00 B1 (TC2 1F-101)

11:00 〜 11:15

[17a-B1-8] SiC(0001)面上第1層グラフェン成長初期過程とステップの役割

○影島博之1，日比野浩樹1，山口浩司1，永瀬雅夫2 (NTT物性基礎研1，徳島大工2)

キーワード：グラフェン,ＳｉＣ,理論