[17a-B5-1~10] 13.3 絶縁膜技術

△ [17a-B5-1] 量子分子動力学法に基づくフルオロカーボンラジカルによるSiO₂エッチングプロセスの解明

^○（D）伊藤寿¹，桑原卓哉¹，樋口祐次¹，尾澤伸樹¹，寒川誠二²，久保百司¹ (東北大院工¹，東北大流体研²)

キーワード：エッチング,シリコン酸化膜,シミュレーション