[17p-B4-1~18] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [17p-B4-17] 高安定性アモルファスInAlZnO薄膜トランジスタ

^○浦川哲¹，石河泰明^1,2，堀田昌宏^1,2，浦岡行治^1,2 (奈良先端大¹，CREST²)

キーワード：酸化物半導体,薄膜トランジスタ