14:30 〜 14:45
▲ [17p-B4-5] UV酸化によるp-NiO/n-Siヘテロ接合ダイオードの作製
キーワード：NiO,heterojunction diode,thin film device
講演情報
一般セッション(口頭講演)
合同セッションK » 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
[17p-B4-1~18] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2013年9月17日(火) 13:30 〜 18:15 B4 (TC2 1F-106)