[17p-P7-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-P7-11] InGaN量子井戸構造における障壁層暗点分布と活性層発光分布の相関

^○信田真孝，細川大介，倉井聡，岡田成二，只友一行，山田陽一 (山口大院・理工)

キーワード：近接場光学顕微分光,InGaN,量子井戸