2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.3 絶縁膜技術

[18p-P9-1~10] 13.3 絶縁膜技術

2013年9月18日(水) 13:30 〜 15:30 P9 (デイヴィス記念館 )

13:30 〜 15:30

[18p-P9-7] ALD堆積条件によるLa2O3/In0.53Ga0.47As キャパシタの電気特性への影響

○鹿国強1，大嶺洋1，Zadeh Darius1，角嶋邦之2，西山彰2，杉井信之2，片岡好則2，若林整2，筒井一生2，名取研二1，岩井洋1 (東工大フロンティア研1，東工大院総理工2)

キーワード：InGaAs,High-k,ALD