[19a-B5-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-B5-10] InGaNのMOVPE成長におけるSi dopingによるIn取込量の抑制

三原章宏^1,2，重川直輝³，^○山本高勇^1,2 (福井大院工¹，JST-CREST²，大阪市大院工³)

キーワード：InGaN,Siドーピング