2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.5 Siプロセス技術

[19a-P5-1~14] 13.5 Siプロセス技術

2013年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 P5 (デイヴィス記念館 )

09:30 〜 11:30

[19a-P5-13] エピタキシャル成長n+-Ge:Pの活性化率向上とTi電極との接触抵抗低減

守山佳彦1,2,上牟田雄一1,鎌田善己1,池田圭司1,竹内正太郎2,中村芳明2,酒井朗2,手塚勉1 (産総研GNC1,阪大基礎工2)

キーワード:Ge,in-situ doped epitaxy,コンタクト抵抗