09:30 〜 11:30
[19a-P5-13] エピタキシャル成長n+-Ge:Pの活性化率向上とTi電極との接触抵抗低減
キーワード:Ge,in-situ doped epitaxy,コンタクト抵抗
一般セッション(ポスター講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.5 Siプロセス技術
2013年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 P5 (デイヴィス記念館 )
09:30 〜 11:30
キーワード:Ge,in-situ doped epitaxy,コンタクト抵抗