[19a-P5-1~14] 13.5 Siプロセス技術

[19a-P5-7] マイクロ熱プラズマジェット結晶化SiTFTにおけるチャネル結晶状態及び電気特性評価

^○林将平^1,2，藤田悠二¹，森崎誠司¹，上倉敬弘¹，山本将悟¹，東清一郎¹ (広大院先端研¹，学振特別研究員ＤＣ²)

キーワード：薄膜トランジスタ,結晶化,熱プラズマジェット