[19a-P5-1~14] 13.5 Siプロセス技術

[19a-P5-8] 薄膜Al₂O₃/SiO₂ BOX層を有するUTB-GeOI基板作製

^○守山佳彦^1,2，池田圭司¹，竹内正太郎²，上牟田雄一¹，中村芳明²，酒井朗²，泉妻宏治³，手塚勉¹ (産総研GNC¹，阪大基礎工²，グローバルウェーハズジャパン³)

キーワード：GeOI,極薄膜GeOI,epi-Ge